Кремний уже десятки лет служит основой процессоров, но вскоре материал достигнет технологических лимитов. Переход на техпроцессы менее 5 нм столкнулся бы с проблемами, поэтому учёные Стэнфорда нашли решение вопроса: дополнить кремний новыми материалами, чтобы восполнить его недостатки. К счастью исследователей, в пару к привычному веществу нашлось сразу две «добавки».
В процессорах будущего найдут применение дисульфид гафния или диселенид циркония, которые можно расположить слоем толщиной всего в 3 атома. Новые материалы послужат основой чипов, которые по компактности в 10 раз превзойдут 5-нм процессоры из кремния.
При этом учёные уточнили, что кремний никуда не денется, но в новых комбинациях чипы получатся энергоэффективнее и производительнее. Как обычно, главная трудность — вывести технологию на рынок, поэтому процессоры нового поколения дебютируют в лучшем случае через несколько лет.
